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进一步通过厚度、款电温度以及激发波长依赖的异质结超快光谱测试与分析，研究了极化载流子动力学过程，阐明了自旋极化提升机理。二维自旋器件，应裙由于自旋自由度的引入提升了信息存储与处理能力，是新型器件研究的重要方向。

推出光激发产生的电子和空穴都从PbI2转移到单层WS2中。a，款电PbI2/WS2异质结在488nm左旋光激发下不同温度的圆偏振PL光谱。应裙图3.PbI2/WS2异质结自旋极化动力学。

推出高自旋极化的产生和操控决定器件性能。该工作提出的通过构建范德华异质结实现其载流子寿命调控与室温高自旋极化的方法，款电可作为普适方法应用到多种材料体系中，款电将推动低维半导体材料自旋光子、自旋电子器件的研究和应用。

应裙相关成果以Roomtemperaturenearunityspinpolarizationin2DVanderWaalsheterostructures为题发表在NatureCommunication上。

推出图4.PbI2/WS2异质结的温度依赖圆偏振光谱。其中，款电纳米碗均匀的形状，精确控制的裸露液面大小，以及最重要的，液体融合时的误差校正是导致高纯度组装的关键因素。

虽然连接中空纳米结构涉及独特的挑战，应裙但它也带来了有趣的机会。富勒烯浓度被用于调节碗的开口尺寸（即，推出碗壳的覆盖面积）。

通过碗口处暴露的液体区域来创造选择性，款电并通过液滴的融合实现碗的对接，随后利用逐渐延伸的碗壳进行多个碗的焊接，形成二聚体或多聚体。应裙此方法创造了一步合成最高纯度二聚体样品的新记录。